上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400

美国 KRI 霍尔离子源 eH 400

上海伯东代理美国原装进口 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”

放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 400 特性

可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, *大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极

宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率

多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统

等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:型号eH 400 / eH 400 LEHO供电DC magnetic confinement- 电压40-300 V VDC- 离子源直径~ 4 cm- 阳极结构模块化电源控制eHx-3005A配置-- 阴极中和器Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode- 离子束发散角度> 45° (hwhm)- 阳极标准或 Grooved- 水冷前板水冷- 底座移动或快接法兰- 高度3.0'- 直径3.7'- 加工材料金属

电介质

半导体- 工艺气体Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors- 安装距离6-30”- 自动控制控制4种气体* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:

离子辅助镀膜 IAD

预清洁 Load lock preclean

In-situ preclean

Low-energy etching

III-V Semiconductors

Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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上海伯东: 罗女士