上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 220,实现 8寸芯片蚀刻

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上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 最佳的离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.

KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数:阳极电感耦合等离子体

2kW & 2 MHz

射频自动匹配最大阳极功率>1kW最大离子束流> 1000mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2, 其他流量5-50 sccm压力< 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极22cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000, MHC 1000高度30 cm直径41 cm锁紧安装法兰10”CF

KRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸

KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：

预清洗

表面改性

辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,

溅镀和蒸发镀膜 PC

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.

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