Infineon 场效应管IPP075N15N3G

产品型号：IPP075N15N3 G

产品封装:TO-220

批号：2013

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NXP等一 系列电子元件。

场效应管 MOSFET N沟道 100A 150V PG-TO220-3 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 100A 漏源电压, Vds: 150V 在电阻RDS（上）: 6.2mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V 功耗, Pd: 300W 工作温度最小值: -55°C 工作温度值: 175°C 封装类型: TO-220 针脚数: 3 工作温度范围: -55°C 至 +175°C 晶体管类型: 功率MOSFET 漏极���流, Id 值: 100A 电压, Vgs : 20V 功率金属氧化物半 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅g电压vg增大时，p型半导体表面的多数载流子枣空穴减少、耗尽，而电子积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区s和n+漏区d形成导电沟道。当vds≠0时，源漏电极有较大的电流ids流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压vt。当vgs>vt并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在的vds下也将产生不同的ids,实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制。

场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用。

fet和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®g、e®s、c®d；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路一个偏置电流(偏流)，而fet放大电路的场效应管栅极没有电流，fet放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压(偏压)。

fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别：场效应管是电压控制型器件，靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来。

场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处