超高真空多对靶磁(图)

技术指标： 极限真空：优于 8×10-6 Pa 真空室尺寸：Ф 560×450（mm）为圆筒形立式全不锈钢结构 样品加热温度：可加热到 600 ℃ 基片尺寸、数量： Φ30mm 、五块 靶的尺寸、数量：靶材直径Ф60mm、四组八个对向永磁靶、一个平面磁控靶 MFC质量流量计控制器进气 计算机控制样品和挡板转动，手动换样

应用领域： 本设备主要用于大专院校、科研院所研究和开发纳米级单层及多层功能膜，

如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、碳膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型

薄膜材料 。

产品说明： 主要由溅射室、磁控溅射靶、对向磁控靶、射频电源、直流电源、样品加热转

台、真空获得及测量系统、电控系统、气路系统、微机控制膜层系统等组成。

安装条件 1 、供电电源：三相 380V 50Hz ， 14KW ； 2、冷却水：水压1～2Kg/cm2 ，流量：≈1m 3 /h； 3、占地面积：主机：1500×1000（mm）电控柜：700×700（mm）共二个 4、重量：约800Kg