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MOVCD反应系统的技术要求

先进的M0CVD装置首先应具有一个能同时生长多片均匀材料并能长时间保持稳定的生长系统，该系统不但有很高的产出量，而且能在短时间内生长出具有预定器件结构的单片材料。精确的过程控制是保证重复和灵活地调整并生产先进LED器件复杂结构的必备技术。先进的M0CVD设备具有精确的对于载气和反应剂的压力与流量控制系统，配备有快速的气体转换开关和压力平衡装置，并且应选用合适的结构，用于减少反应剂的记忆效应发光字广告设计，优化反应剂的浓度，以及改善生长区温度场的均匀分布状况。

硅和碳化硅的LED衬底材料

目前有一部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式，分别是L接触(Level-contact发光字广告制作，水平接触)和V接触(Vertical-contact，垂直接触)，以下简称为L型电极和V型电极。通过这两种接触方式，LED芯片内部的电流可以是横向流动的，也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动，因此增大了LED的发光面积发光字广告公司，从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从而可延长器件的寿命。

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