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大功率LED芯片制造技术的发展趋势

目前，大功率LED存在的主要问题是大部分电能消耗在发热上，所以LED发光效率很低，而发热却十分严重。未来的技术趋势是非极性面外延(5～8年)、GaN衬底外延(8～10年)；非极性面生长技术能有效降低内建极化场，为提高内量子效率提供了一个新的选择，LED招牌制作，有望突破目前三基色LED集成的障碍。解决绿光LED的出光效率问题，这使得实现暖色调及可调色为白光LED照明成为可能。

前面介绍了目前市场常见的红、黄、蓝、绿LED芯片。根据用途来选用LED芯片，如果要求亮度高，LED招牌广告，就要按照驱动电流和裸晶亮度这两个指标来选择；如果为了确定LED芯片要选用什么支架(热沉)，赤峰LED招牌，则要考虑LED芯片的面积和高度。所以无论是封装厂还是LED灯具制造厂，如果要做出好的器件或灯具，首先要考虑的是LED芯片指标!然后根据封装后LED器件的技术指标来选择芯片。这样才能封装出较好的器件，做出好的LED灯具。

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