深圳市金嘉锐电子有限公司
主营产品:传感器
2023年11月04日 11:27
产品:IGBT Silicon Modules配置:Dual集电极—发射极电压 VCEO:600 V集电极—射极饱和电压:1.95 V在25 C的连续集电极电流:230 A栅极—射极漏泄电流:400 nA功率耗散:445 W工作温度:+ 125 C封装 / 箱体:34MM栅极/发射极电压:+/- 20 V 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Screw 工厂包装数量:500
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