详情描述
种类 |
绝缘栅(MOSFET) |
导电方式 |
增强型 |
用途 |
S/开关 |
封装外形 |
P-DIT/塑料双列直插 |
材料 |
N-FET硅N沟道 |
型号 |
2N60 |
描述: 2N60D/F/T/M N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用SL微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点 : ∗开关速度快 ∗提升了 dv/dt 能力 ∗低反向传输电容 ∗低栅极电荷量 ∗2A，600V，RDS(on)（典型值）=2.5 Ω@VGS=10V
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