东科 DK136 封装DIP-8 充电器适配器 电源芯片

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SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。近几年，SBD已取得了突破性的进展，150V和 200V的高压SBD已经上市，使用新型材料制作的超过1kV的SBD也研制成功，从而为其应用注入了新的生机与活力。

整流桥MB10M它的电性参数是多少呢？有没有详解一点的介绍？强元芯ASEMI是一家专注整流桥行业的电源领域专家，对每一款整流桥型号都了如指掌，下面给大家从两个方面详解介绍一下MB10M这款型

整流桥MB10M电性参数介绍

整流桥MB10M，它的封装和我们上一节介绍的MB4M的封装一样，都是迷你插件整流桥堆。电性参数没有太大的区别。MB10M采用GPP芯片材质，里面有4颗芯片组成，芯片尺寸都是46MIL。它的电性参数是：正向电流（Io）为0.5A，反向耐压为1000V，正向电压（VF）为1.0V，它的浪涌电流Ifsm为30A，漏电流（Ir）为5uA、工作温度在-40°~+150℃，恢复时间（Trr）达到500ns，其中有4条引线。

电桥类型单相 峰值平均正向电流800mA峰值反向重复电压200V安装类型表面贴装封装类型MiniDIP SMD引脚数目4二极管技术硅结型配置单峰值非重复正向浪涌电流30A工作温度+150 °C工作温度-55 °C峰值正向电压1V峰值反向电流500µA长度4.9mm尺寸4.9 x 4 x 2.7mm高度2.7mm宽度4mm