硅片高温方阻测试仪,高温四探针电阻率

rooko瑞柯硅片高温方阻测试仪,高温四探针电阻率ft-351高温四探针电阻率测试系统

一、概述：

采用由四探针双电测量方法测试方阻和电阻率系统与高温试验箱结合配置专用的高温测试探针治具，满足半导体材料因温度变化对电阻值变化的测量要求，通过先进的测控软件可以显示出温度与电阻，电阻率，电导率数据的变化曲线，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。

二、适用行业：

广泛用于：生产企业、高等院校、科研部门对导电陶瓷、硅、锗单晶（棒料、晶片）电阻率、测定硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ito）和其它导电薄膜的方块电阻、电阻率和电导率数据.

三、功能介绍：液晶显示，无需人工计算，并带有温度补偿功能，电阻率单位自动选择，仪器自动测量并根据测试结果自动转换量程，无需人工多次和重复设置。采用高精度ad芯片控制，恒流输出，结构合理、质量轻便，运输安全、使用方便；配备软件可以由电脑操控，并保存和打印数据，自动生成报表；

本仪器采用4.3吋大液晶屏幕显示，同时显示液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率，配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。

测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.

双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 a.s.t.m 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。

四、技术参数资料

1.方块电阻范围：10-5～2×105ω/□

2.电阻率范围：10-6×106cm

3.测试电流范围：0.1μa ，1μa，10μa，100µa，1ma，10ma，100 ma

4.电流精度：±0.1%读数

5.电阻精度：≤0.3%

6.显示读数：液晶显示：电阻、电阻率、方阻、温度、单位换算、温度系数、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、电导率

7.测试方式: 双电测量

8.工作电源: 输入: ac 220v±10% ,50hz 功 耗：