Futurrex 负性光刻胶

厚膜负性光刻胶 – 删减或添加工艺删减工艺与模型光刻胶

NR5-8000

厚度

5.8µm - 100.0µm

制程小于120度（℃）时，列光刻胶易于在25度（℃）去除添加工艺光刻胶

NR4-8000P

NR21-20000P

厚度

6.0µm - 20.0µm

18.0µm - 200µm

在100度（℃）时.

NR9系列光刻胶有很好的黏附特性，且易于在25度（℃）去除.

删减&模型应用硅的深度刻蚀，类如博施工艺（波希法），玻璃及聚合体硅的浮雕模型添加应用用于倒转（装）芯片封装，多芯片组件，微系统，感光芯片，薄膜磁头的高纵横比电镀凸块的制作删减模型的特性极好的耐温性适用于离子刻蚀及离子铣削制程在深度刻蚀中比正胶有更多的选择性对小于380nm的波长有很好的灵敏度添加应用的特性在电镀制程中有很好的粘附性电镀后用FUTURREX的去胶液易于去除对小于380nm的波长有很好的灵敏度对生产率的影响省去了溶剂显影和溶剂漂洗制程步骤优势良好的线宽控制侧壁的垂直度不随膜后（厚）而变单次旋涂可达到100微米厚度在厚膜应用中有很好的分辨率极好的光刻速度可以提高曝光效率便于增加功率密度在离子刻蚀/离子铣削制程中，从而提高蚀刻效率单个显影液可适用于正性光刻胶和负性光刻胶无需使用增粘剂​