深圳市立强达电子有限公司
主营产品：
13632911505
深圳市立强达电子有限公司
主营产品：
2023年10月17日 14:48
品牌/型号 |
SVD2N60，SVD4N60 |
材料 |
锗 |
营销方式 |
厂家直销 |
制作工艺 |
半导体集成 |
产品性质 |
新品 |
导电类型 |
双极型 |
封装形式 |
直插型 |
集成程度 |
小规模 |
SVD2N60，2A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVD2N60M/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效 应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺 技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品 具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿 耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源 转换器，高压 H 桥 PMW马达驱动。
特点 ∗ 2A，600V，RDS(on)(典型值)=4.0Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 SVD4N60，4A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVD4N60D/F(G)/T N沟道增强型高压功率MOS场效 应晶体管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺 技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品 具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿 耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源 转换器，高压 H 桥 PMW马达驱动。
特点 ∗ 4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力
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