可控硅HC106D

HC106D详细说明封装形式TO-126极性-------------结温-40～125（℃）（℃）触发电流≤15~200u（A）（A）控制方式单向可控硅电压≥600（V）（V）电流4.0（A）（A）型号HC106D/M

?产品类别：4A单向可控硅-SCRs?工业型号：C106D/M2P4M?公司型号：HC106D/M?封装外形：TO-126?管脚排列：K-G-A（K-Cathode；G-Gate；A-Anode）?储存温度/Tstg:-40~ 150℃,结温/Tj：-40~ 110°C?重复峰值断态电压/VDRM：≥400/600V?通态电流/均方值IT(RMS)：≤4.0A?平均通态电流/均方值IT(AV)：≤2.55A?浪涌通态电流/ITSM：≤20A(60HZ,正弦波,1/2周期,不重复)?反向峰值门极电压/VGRM：6V?正向峰值门极电流/IFGM：0.2A?峰值门极功耗/PGM：0.5W?重复峰值断态电流/IDRM/RRM：≤10uA(VAK=VDRM或VRRM,RKG=1000Ω,Ta=25℃)重复峰值断态电流/IDRM/RRM：≤200uA(VAK=VDRM或VRRM,RKG=1000Ω,Ta=125℃)?峰值通态电压/VTM：≤2.2V值(ITM=1.0A,峰值)?门极触发电流/IGT:15~200μA典型值~值(VAK=6V,RL=100Ω,Ta=25℃)门极触发电流/IGT:35~500μA典型值~值(VAK=6V,RL=100Ω,Ta=-40℃)?门极触发电压/VGT:0.4~0.8V最小值~值(VAK=6V,RL=100Ω,Ta=25℃)门极触发电压/VGT:0.5~1.0V最小值~值(VAK=6V,RL=100Ω,Ta=-40℃)?门极不触发电压/VGD:≥0.2V(VAK=12V,RL=100Ω,Ta=110℃)?维持电流/IH:0.19~3.0mA典型值~值(VAK=12V,门极开路,Ta=25℃)维持电流/IH:0.33~6.0mA典型值~值(VAK=12V,门极开路,Ta=-40℃)?热阻/Rth(j-c):3.0℃/W(结到外壳)?热阻/Rth(j-a):75℃/W(结到环境)?器件品牌：HAOHAI&KKG?包装规格：管装，每管50pcs，每盒1Kpcs?供应状况：大量现货。