FQB5N90 仙童代理商

FQB5N90型号

FQB5N90品牌

FQB5N90封装

FQB5N90备注

FQB5N90

FAIRCHILD/仙童代理商

TO-263

全新原装现货

FQB5N90 N沟道 MOSFET 900V 5.4A TO-263

F文件

FQB5N90产品描述：

该N沟道增强型功率MOSFET产品采用飞兆半导体的专有平面条形和DMOS 技术生产。这种先进的 MOSFET技术已专门定制用来降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和较高的雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC及照明灯电子镇流器。

FQB5N90产品特点：

5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω（Zui大值）@VGS = 10 V,

ID = 2.7A栅极电荷低（典型值：31nC)

低 Crss（典型值13pF)

经过雪崩击穿测试

符合 RoHS 标准

FQB5N90产品内部原理图：

FQB5N90产品技术参数：

通道类型

N

Zui大连续漏极电流

5.4 A

Zui大漏源电压

900 V

Zui大漏源电阻值

2.3 Ω

Zui小栅阈值电压

3V

Zui大栅源电压

±30 V

封装类型

D2PAK

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

通道模式

增强

类别

功率 MOSFET

Zui大功率耗散

158 W

配置

单

高度

4.83mm

Zui高工作温度

+150 °C

典型输入电容值@Vds

1200 pF@ 25 V

典型关断延迟时间

65 ns

Zui低工作温度

-55 °C

典型栅极电荷@Vgs

31 nC@ 10 V

每片芯片元件数目

1

长度

10.67mm

宽度

9.65mm

尺寸

10.67 x 9.65 x 4.83mm

典型接通延迟时间

28 ns

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