供应微差压变送器，高精度微差压变送器，单晶硅微差压变送器

中心传感单元采用全球领先高精度硅技术，铂金级精度 ±0.05%

双过载保护膜片设计，单向过压可达40MPa

优异的静压性能，远非同场合电容式产品所能媲比，静压误差可控制在±0.05%/10MPa以内

100:1的量程比调节

EMC符合GB/T 18268.1-2008相关资料下载·技术参数

td{ padding-left:10px;}中心传感单元采用全球领先高精度硅技术，达 ±0.1%高精度

未迁移时，100Pa的测量范围

双过载保护膜片设计，单向过压可达7MPa

优异的静压性能，远非同场合电容式产品所能媲比

30:1的量程比调节

EMC符合GB/T 18268.1-2008相关资料下载 ·技术参数

.cpt td{ padding-left:10px;}参数最小测量范围（未迁移）100 Pa1 kPa量程比10:110:1环境温度-40℃+85℃介质温度-40℃+125℃温度影响量±0.8%×Span /10k准确度等级可达±0.075%长期漂移参考精度×Span / 3年组态属性线性 / 平方根 /自由编程重量3.3 kg总线标准4～20mA HART中心传感单元采用全球领先高精度硅技术，达 ±0.1%高精度

未迁移时，100Pa的测量范围

双过载保护膜片设计，单向过压可达7MPa

优异的静压性能，远非同场合电容式产品所能媲比

30:1的量程比调节

EMC符合GB/T 18268.1-2008相关资料下载 ·技术参数

.cpt td{ padding-left:10px;}参数最小测量范围（未迁移）100 Pa1 kPa量程比10:110:1环境温度-40℃+85℃介质温度-40℃+125℃温度影响量±0.8%×Span /10k准确度等级可达±0.075%长期漂移参考精度×Span / 3年组态属性线性 / 平方根 /自由编程重量3.3 kg总线标准4～20mA HART参数最小测量范围（未迁移）400Pa2000kPa量程比10：1100：1环境温度-40℃+85℃温度影响量-20℃～65℃:±(0.075×TD+0.025)%×Span

±0.04%×Span(TD=1)/10℃

-40℃～-20℃ & 65℃～85℃:±(0.1×TD+0.025)%×Span

准确度等级±0.05%/ ±0.1%长期漂移±0.1%×Span/ 3年组态属性线性/平方根/ 自由编程重量3.3kg总线标准4～20mA/HART