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湿法氧化时，因在于OH基SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应，回收HY27系列晶圆，Si表面向深层移动，晶圆，距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此，不同厚度的SiO2膜，回收JS29系列晶圆，去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明，通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm，如果预告知道是几次干涉，就能正确估计。

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当SiO2膜较薄时，MT29系列晶圆收购，膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时，膜厚与时间的平方根成正比。因而，要形成较厚SiO2膜，需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2及OH基等氧化剂的数量的多少。

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