吉林纽思达碳化硅铝规格20vol%SiC/Al 高导热高强度材料

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品牌	吉林纽思达	密度	2.85g/cm3
规格	按需求加工定制	弹性模量GPa	110±5 GPa
颜色	灰	加工定制	按需求加工定制
比刚度	38.6 E/p	热导率	160±5W/m·K
膨胀系数	16.0±1 10-6/K	强度	580MPa

碳化硅铝散热基板的发展散热基板是功率半导体器件正常工作的一类关键材料，至今经历了三代发展。以科瓦（Kovar）合金为代表的第一代封装合金，解决了热膨胀系数与芯片及陶瓷基片的匹配问题，但导热率过低；以W/Cu、Mo/Cu为代表的第二代封装合金，可以同时实现高导热与低膨胀，但价格高，比重大，难以满足轻量化要求；碳化硅/铝（SiC/Al）复合材料是第三代电子封装基板材料，具有高导热、低膨胀、轻质化的综合优势，但其制造技术被发达国家封锁。目前，国内缺乏高性能的SiCp/Al基板的生产能力，国内高端功率半导体器件所需SiC/Al基板材料全部依靠进口，其中90%来自日本Denka公司，其余主要为美国CPS公司，产品热导率值170－200W/m•k、热膨胀系数值为6.0-8.0×10−6/K。