奥林巴斯红外显微镜

奥林巴斯红外显微镜 近红外一般定义为700-1600nm波长范围内的光线，由于硅传感器的上限约为1100nm，砷化铟镓（InGaAs）传感器是在近红外中使用的主要传感器，可覆盖典型的近红外频带。大量使用可见光难以或无法实施的应用可通过近红外成像完成。当使用近红外成像时，水蒸气、雾和硅等特定材料均为透明，因此红外显微检测被应用于半导体行业的各个方面。

奥林巴斯红外显微镜 配置IR专用物镜可用于透过硅材料成像，进行半导体检查和测量。配备的5X到100X红外（IR）物镜，提供了从可见光波长到近红外的像差校正。对于高放大倍率的物镜，配备了LCPLN-IR系列带校正环的物镜，校正由样品厚度导致的像差，使用一个物镜即可获取清晰的图像。

CSP/SIP的非破坏检查 芯片封装的不良状况无损分析

倒装芯片标记点对准检查 MEMS器件近红外检测

引线部分（内面观察） 焊锡溢出性评价 电极部分（内面观察）