伯东代理KRi 射频离子源 RFICP 100

KRI 射频离子源 RFICP 100

上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 >400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以达到 400 mA.

KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数型号RFICP 100Discharge 阳极RF 射频离子束流>350 mA, 可以达到 400 mA离子动能100-1200 V栅极直径10 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度23.5 cm直径19.1 cm中和器LFN 2000KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域

预清洗

表面改性

辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,

溅镀和蒸发镀膜 PC

离子溅射沉积和多层结构 IBSD

离子蚀刻 IBE

客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下

美国 KRI 射频离子源 RFICP 100

美国 HVA 真空闸阀

德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

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上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐

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