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直流辉光放电的形貌和参量分布图：

i. 阿斯顿暗区，不发生电离和激发；

ii. 阴极辉光区，气体分子激发发光；

iii. 阴极暗区，产生很强的电离，具有很高的正离子浓度，有较强的空间电荷；

iv. 负辉光区，光度，有较强的负空间电荷；

v. 法拉第暗区，电离和激发都很小；不一定是辉光放电必须的，是起连接作用。

vi. 正柱区，等离子区，几乎与法拉第暗区等电位；

u低频交流辉光放电

在频率低于50KHz的交流电压条件下，离子有足够的活动能力且有充分的时间，在每个半周期内在各个电极上建立直流辉光放电。除了电极交替地成为阴极和阳极之外，其机理基本上与直流辉光放电相同。

我们常用的中频溅射属于这个范围，中频溅射的频率为40KHz。

u射频辉光放电

Ø 两个重要特征：

、在辉光放电空间中电子振荡达到足以产生电离碰撞的能量，所以减小了放电对二次电子的依赖，并且降低了击穿电压。

第二、射频电压可以穿过任何种类的阻抗，所以电极就不再要求是导体，可以溅射任何材料。射频辉光放电的阴极室电容耦合电极，阳极接地。

Ø 溅射靶和基片完全对称放置于射频辉光放电等离子体中，正离子以均等的机会轰击溅射靶和基片，溅射成膜是不可能的。实际上，只要求靶上得到溅射，那么这个电极(溅射靶)必须绝缘起来，并通过电容耦合到射频电源上；另一个电极(真空室壁)为直接耦合电极(即接地极)，丝杠防护罩 矩形金属软管而且靶面积必须比直接耦合电极小。实验证明：在射频辉光放电等离子体中阴极电压Vc与阳极电压Va之比于阳极面积Aa和阴极面积Ac之比存在如下关系：Vc/Va=(Aa/Ac)4。

由于Aa >> Ac,所以Vc >> Va，放射频辉光放电时，等离子体重离子对接地零件只有极微小的轰击，而对溅射靶却进行强烈轰击并使之产生溅射。

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