STS ASE-HRM ICP ETCHERSTS等离子刻蚀设

型号规格：ICP ASE

生产制造厂商：英国STS公司

适用于4英寸硅片；

标准 ICP 深硅刻蚀工艺参数 :

20 微米深硅刻蚀

约 2.5 微米刻蚀窗口宽度

厚度大于 1 微米光刻胶掩膜或大约 0.5 微米 SiO2 掩膜

掩膜图形的硅暴露面积小于10%

刻蚀速度：>2 微米/分钟

光刻胶的选择比：>50:1

SiO2 的选择比：>100:1

边壁角度：90± 1 度

边壁粗糙度 (scallops)：<200 纳米 (峰与峰之间)

掩膜开始底部切口：每边小于 0.4 微米

均匀性 (芯片上)： <±5%

均匀性 (芯片与芯片之间)：<±5%

气体SF6 ，C4F8 ，Ar ，O2。

400 微米深硅刻蚀

大于80微米刻蚀窗口宽度

厚度大于10微米光刻胶掩膜或大于3.5微米SiO2掩膜

掩膜图形的硅暴露面积小于10%

刻蚀速度：>2微米/分钟

光刻胶的选择比：> 50:1

SiO2 的选择比：>100:1

边壁角度： 92+/-2 deg.

边壁粗糙度（scallops）：<400纳米（峰与峰之间）

掩膜开始底部切口： 每边小于 1.5 微米

均匀性 (芯片上) : <±5%

均匀性 (芯片与芯片之间) : <±5%