高性能ICP干法自动蚀刻机

RIE系列是使用感应耦合方式（Inductively Coupled Plasma）的化合物半导体工艺用的多片刻蚀设备。该设备适应于φ330mm的大型托盘，装载改善原来的tornado (龙卷风型)ICP?型电极的新型ICP电极－SSTC(Symmetrical Shield Tornado Coil)电极,实现卓越的大面积均匀性。

该设备是在ICP刻蚀机上获得丰富经验的基础上研发的LED制造工艺专用氮化镓刻蚀机，采用大面积基座，大幅度提高产量的专刻氮化镓的高密度等离子(ICP)刻蚀机。为了增加LED产量，研发出了可放φ330mm的托盘，比φ300mm托盘的原机产量增加了30-40%。而且在工艺上，不仅克服了难以得到良好均匀性的问题，还配备有申请的新型电极SSTC(Symmetric Shielded Tornado Coil)，由于电极的形状和放电方法等独特性能，有效地克服了随着大面积化而带来的的均匀性恶化问题。在一次工艺下，能做φ2”x27pcs.,φ2.5”x17pcs.,φ3”x12pcs.,φ4”x7pcs.或φ6”x3pcs.的刻蚀。可做包含330mm中心的均匀性为±3-5%,刻蚀率为120nm/min.的大量处理工艺，实现世界水平的设备性能。「RIE系列」还搭载cassette室以适合于大批量生产的需要，可做全自动操作，同时可做工艺管理以及数据记录。

应用例：

。GaN电子元件以及发光元件的制造。

特长：

。适应于φ330mm的大型盘、φ2”x 27pcs.,φ2.5”x 17pcs.,φ3”x 12pcs.,φ4”x 7pcs.,φ6”x 3pcs。。采用新型SSTC电极，能在大面积上取得高选择比和高精度且卓越均匀性。。可做低偏压（-100V以下）下的低损伤工艺。。能控制基座及反应室内壁上的温度，因而刻蚀工艺稳定。

。LLC装载独立的TMP，提供更稳定的工艺。