南京厂家供应精密IPM测试系统

系统概述

IPM（Intelligent Power Module），即智能功率模块，是先进的混合集成功率器件， 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压，过电流和过热等故障检测电路，并可将检测信号送到CPU。它由高速低功耗的管芯和优化的门极驱动电路以及快速保护电路构成。即使发生负载事故或使用不当，也可以保证IPM自身不受损坏。

IPM 一般使用 IGBT 作为功率开关元件，内部集成电流传感器及驱动电路的集成结构。IPM尤其适合于驱动电机的变频器和各种逆变电源，是变频调速，冶金机械，电力牵引，伺服驱动，变频家电的一种非常理想的电力电子器件。

由于 IPM 中的IGBT 元件的死区效应，以及开启、关断时易产生损坏器件的浪涌电压和电流， 所以在IPM 设计控制信号时必须考虑死区时间，以避免上、下桥臂的对管直通短路。同时，采取软开启及软关断技术，确保 IPM 安全可靠工作。

IPM模块需要测试的特性参数很多，其中最关键的测试参数为开关特性（时间特性）的测量。由于IPM的开通、关断时间极短（uS级），属于暂态瞬变信号，难以准确捕捉.。该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下，是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统，选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源，检测 IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性，并对器件的故障信息给予判断处理。

测试范围/测试参数：

IPM：BVCES, BVRRM, BVSCES, ICES, IRRM, VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP, ID,VEC,

UVt, UVr, OUVt, OUVr, VCIN(ON), VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L), VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

OTc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, OVt, T_MEAS, V_MEAS

IGBT： ICES, BVCES, IGES, VF, VGEON, VTH, VTHS, ICE(SAT), VCE(SAT)

DIODE:VF-Temp, Temp, VF revision

测试系统指标

1.测 试 电 压： ≤2KV

2.测 试 电 流： ≤50A

3.电 压分辨率： 1mV

4.电流 分辨率： 0.1nA

5.测 试 精 度： 0.2%±2LSB

1.3 测试范围

1．双向可控硅（TRIAC）

2．MOS场效应管（Power MOSFET）

3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）

4．结型场效应管 （J-FET ）

5．晶体管（Transistor）

6．达林顿阵列(Darliknton)

7．稳压（齐纳）二极管（Zener）

8．二极管(Diode)

9．可控硅整流器（SCR ）

10．三端稳压器（REGULATOR ）

11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）

12．双向触发二极管 （DIAC)

13．固态过压保护器（SOVP）

14．继电器（RELAY）