北京研究院所指定专用雪崩耐量测试系统

系统概述

半导体分立器件作为在电力电子行业中应用最为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能 够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。

雪崩耐量即向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压 时的抗击穿能力。电压的尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量。但是，一些电源在输 出短路时，初级中会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些 电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极大的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。

该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达 2000J。测试的电压和电 流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机经过处理后，将测试数据以 EXCEL 表格形式显示并进行最终 的编辑和打印,同时可观测雪崩波形。设备可满足各种封装形式的功率模块测试需求，并预留电压电流扩展功能。

测试系统指标

1.测 试 电 压： ≤2KV

2.测 试 电 流： ≤50A

3.电 压分辨率： 1mV

4.电流 分辨率： 0.1nA

5.测 试 精 度： 0.2%±2LSB

1.3 测试范围

1．双向可控硅（TRIAC）

2．MOS场效应管（Power MOSFET）

3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）

4．结型场效应管 （J-FET ）

5．晶体管（Transistor）

6．达林顿阵列(Darliknton)

7．稳压（齐纳）二极管（Zener）

8．二极管(Diode)

9．可控硅整流器（SCR ）

10．三端稳压器（REGULATOR ）

11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）

12．双向触发二极管 （DIAC)

13．固态过压保护器（SOVP）

14．继电器（RELAY）