西安易恩电气科技有限公司
主营产品:电子测量仪器
2023年07月06日 13:30
型号 |
ENGW2020 |
测量范围 |
半导体分立器件 |
测量精度 |
0.5%+2LSB |
测量频率 |
50HZ-60HZ(Hz) |
适用范围 |
100mV-2000V |
重量 |
175(kg) |
加工定制 |
是 |
系统概述
交流阻断(或反偏)耐久性试验是在一定温度下,对半导体器件施加阻断(或反偏)电压,按照规定的时间,从而对器件进行质量检验和耐久性评估的一种主要试验方法。
一般情况下,此项试验是对器件在结温(Tjm ℃)和规定的交流阻断电压或反向偏置电压的两应力组合下,进行规定时间的试验,并根据抽样理论和失效判定依据,确认是否通过, 同时获取相关试验数据。
该系统符合MIL-STD-750D METHOD-1038.3、GJB128、JEDEC标准试验要求。可供半导体器件配以适当的温度可控装置,作交流阻断(或反偏)耐久性/ 筛选试验。能满足IGBT进行高温反偏电耐久性试验、高温漏电流测试(HTIR)和老炼筛选。
测试系统指标
1.测 试 电 压: ≤2KV
2.测 试 电 流: ≤50A
3.电 压分辨率: 1mV
4.电流 分辨率: 0.1nA
5.测 试 精 度: 0.2%±2LSB
1.3 测试范围
1.双向可控硅(TRIAC)
2.MOS场效应管(Power MOSFET)
3.绝缘栅双极大功率晶体管(IGBT)
4.结型场效应管 (J-FET )
5.晶体管(Transistor)
6.达林顿阵列(Darliknton)
7.稳压(齐纳)二极管(Zener)
8.二极管(Diode)
9.可控硅整流器(SCR )
10.三端稳压器(REGULATOR )
11.光电耦合器(OPTO-COUPLER)
12.双向触发二极管 (DIAC)
13.固态过压保护器(SOVP)
14.继电器(RELAY)
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