可控硅测试仪、晶闸管测试仪、可控硅测试仪器

1. 系统简介

PSC—3可控硅快速筛选系统是参照日本JIS标准及国家标准，并利用“75”期间快速筛选成果研制而成，采用微机控制，在短时间内加正向大电流，使管芯温度接近结温，并快速测取可控硅加温前、加温后的VF 、IDR 、IRR、Igt(正向,反向)、Vgt(正向,反向)、Ih(正向,反向)及其变化量。设定适当的判据，能有效剔除在常温、高温下不符合要求及热不稳定的器件, 是整机厂、器件厂理想的智能测试筛选设备。

2.

主要功能及技术指标

2.1

能测试单\双向可控硅器件。2.2 能测试加温前、加温后的VF 、IDR 、IRR、Igt(正向,反向)、Vgt(正向,反向)、Ih(正向,反向)及其变化量，并能任意选择全部或部分选项，一次性自动检测。2.3

可任意设定测试条件及判据，并保存在系统中，通过浏览方式

任意调取。

2.4

测试结果在大屏幕液晶显示器LCD上显示并保存，超标器件自

动声光报警。

2.5

测试结果通过统计可获得值、最小值、平均值及均方差。

2.6

测试条件、失效判据、检测结果、测试时间、器件型号及编号

可通过打印机打印输出。

2.7

操作简便，只需选择器件型号即可进入连续检测，测试口自动识

别是否有管子。

2.8

正向压降.

IF:

0.1-20A

误差±3%

VF: 0.5-5V

误差±3%

ΔVF: 10-5000mV

误差±3%

2.9 断态漏流.

VDR:

5-1500V

误差±3%

IDR

:

0.1-5000uA

误差±3%

2.10

反向漏流.

VRR: 5-1500V

误差±3%

IRR: 0.1-5000uA

误差±3%±0.1 μA

2.11 门极触发电流(正向, 反向).

I GT: 5uA-100mA

误差±3%

2.12

门极正向触发电压.

VGTA: 0. 1V-3.99V

误差±3%

2.13

门极反向触发电压.

VGTA: 0. 1V-3.99V

误差±3%

2.14

维持电流(正向, 反向).

IH: 0.1mA-50mA

误差±3%

2.15

加温功率及时间.

加温电流: 100mA—20A

误差±3%

加温时间: T= 0.1S—10S

2.16 电网电压:

220V±10%

频率: 50HZ

2.17

整机功耗:

250W

2.18

环境温度:

0℃—30℃

2.19

相对湿度：≤85％

2.20

重量：25kg

2.21

外形尺寸： 520×500×200

(长×宽×高(mm))。

2.22

其它：远离强电磁场干扰和有害腐蚀性气体。