半导体晶体管图示参数测试系统

半导体晶体管图示参数测试系统YB6600在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。

YB6600测试仪指标

1.测 试 电 压： ≤2KV

2.测 试 电 流： ≤50A

3.电 压分辨率： 1mV

4.电流 分辨率： 0.1nA

5.测 试 精 度： 0.2%±2LSB

测试范围

1．双向可控硅（TRIAC）

2．MOS场效应管（Power MOSFET）

3．绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT）

4．结型场效应管 （J-FET ）

5．晶体管（Transistor）

6．达林顿阵列(Darliknton)

7．稳压（齐纳）二极管（Zener）

8．二极管(Diode)

9．可控硅整流器（SCR ）

10．三端稳压器（REGULATOR ）

11．光电耦合器（OPTO-COUPLER）

12．双向触发二极管 （DIAC)

13．固态过压保护器（SOVP）

14．继电器（RELAY）

系统软件支持器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上YB6600接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。