IST8900晶体管特性测试系统

'IST8900功率半导体特性测试系统可测试IGBT、MOSFET等12种功率半导体元件135个动、静参数。当器件处于导通状态时，IST8900测量精确度可至0.1μA，高达50A，也可以借由外部电流模组，将大功率测试电流扩大至4800A。同样，当器件处于关闭状态时，各项崩溃电压测量达2.5KV，可扩展至10KV。

IST8900是一个完整且经济的自动测试设备（ATE）系统，用于测试分立功率半导体组件，功率范围mW ~ kW

有135个参数，可以测试12种不同的半导体设备类型

独立单元执行2500V和50A测试

自动校准和自测诊断

可以用外部电流/电压模块将测试范围扩展至4800 A/10 KV

可接入PC、打印机或数据记录器的USB接口

存储和调取先前的测试程式

在测试前退回有瑕疵或错误的DUT

提供自动“GO/NO GO（进行/不进行）”测试或参数测量

可用于Windows 电脑的曲线绘图仪软件

用于大容量产生测试的处理器接口

起动安全检查，防止对不正确的DUT和测试器连接的检测进行测试

易用菜单驱动接口，用于生成测试程序

用晶体管、SCR或三端双向可控硅开关元件输出来测试光隔离器

80 μs ~ 300 μs 脉冲间隔防止了过热或损坏

在无需使用开尔文接触点的情况下，基于自动软件的校准消除了PCB印刷线、继电器和连接器上的压降。

IST 8900型 测试参数设备类型泄露电流击穿电压通路参数增益触发器参数锁存器参数维持参数切换参数双极晶体管Iceo、Ices、Icev Icbo、IeboBvceo、BVces Bvcev、BVcbo BVeboVce(sat)

Vbe(sat)hFEVbe(on)导通

关断时间MOSFET晶体管Idss、Igsr、Igsf IdsvBVdssVds(on)、Ids(on) Rds(on)、VsdgFSVgs(th)

Vgs(on)导通

关断时间IGBTIces、Igsr、IgsfBVcesVce(sat)、Ic(on) VfgFSVge(th)

Vge(on)导通

关断时间TRIACIdrm、IrrmBVrrm、BVdrmVtm+、Vtm-Igt 1/2/3/4

Vgt 1/2/3/4Ih+、Ih-SCRIdrm、Irrm、IgkoBVdrm、BVrrm BVgkoVtmIgt、VgtILIhGTOIdrm、Irrm、IgrmVtmIgt、VgtILIh二极管IrBVrVf、If齐纳二极管IrBVz、BVrVfJ-FETIgssBVgssIdss、Rds(on) Vds(on)gFSVgs(p)Id(p)校准器+/-Vo、+/-Ipk +/-Isc+/-dV+/-0r、+/-Ir光隔离器Irrm、Ir、Iceo Icbo、Iebo Ic(off)、IdrmBvceo、BVcbo BVeboVf、Ic(on)、Vce(sat)、VtmCTR、hFEIgtIhTVSIrBVrVbo，Ibo，dVboIST 8900型允许在用户给定的范围内，通过执行256高速点对点测试步骤来生成单个或多个曲线。数据增量可以是线性或者是对数格式。

测试结果可以通过USB端口转移至电脑。利用包括在产品内的用于Windows电脑下的IST 8900曲线绘图仪软件程式，可以显示出下列曲线。可以将曲线绘图仪功能应用至下列所示的参数测量中。

双极晶体管Ice(o,s,v)–BVce(o,s,v)Icbo–BVcboIebo–BVeboIc–Vce(sat)Ic–Vbe(sat)Ic–hFEMOSFETIdss–BVdssIdsv–BVdsvIds–Vds (不同Vgs)Rds–Ids (不同Vgs)Rds–Vgs (Ids固定)Ids–Vgs (Vds固定)Is–VsdIGBTIces–BVcesIf–VfIc–Vce (Vge不同)双极管、齐纳双极管Ir–BVrIz–BVz外部模块进行高功率半导体测试

随着功率模块老化，其性能会下降。对在电力切换中使用的半导体设备进行适当的测试和维护，能确保其性能处于状态，并能缩短设备的维修时间。通过准确地模拟实时操作条件下设备参数电流和电压，IST 8900型分立半导体测试系统使您可以有效地鉴别出半导体设备退化的百分比。

Vce(sat.)，Vds(on)，Rds(on)，Vf，和Vtm参数的通路测试，可以使用2400型和4800外部电流模块。这些模块将IST 8900型的高功率测试能力扩展至几千安培。每个电流模块自身拥有电源以给内部电路供电，并且在测试中给电池充电。8900型通过一个DB-25接口连续控制0-2400A或0-4800A的电流。

而5KV或10KV击穿电压和泄漏电流测量的断态参数测试，可以用备选的外部电压模块来执行。

泄漏电流测量范围参数电流范围解析度精度测试条件Iceo/s/v，Icbo Iebo，Idss/v，Igsr/f Idrm，Irrm，Igko Igss，Ir，Ic(off)0 - 400 na0.1 nA+/-5%0 - 2.5 KV0 - 4 ua1 nA+/-2%0 - 2.5 KV0 - 40 ua10 nA+/-1%0 - 2.5 KV0 - 400 ua0.1 ua+/-1%0 - 2.5 KV0 - 4 ma1 uA+/-1%0 - 2.5 KV0 - 40 ma10 uA+/-1%0 - 2.0 KV0 - 400 ma0.1 ma+/-1%0 - 1 KV击穿电压范围参数电压范围解析度精度测试条件BVceo/s/v

BVcbo，BVebo BVdss，BVr

BVdrm，BVrrm BVgss，BVz0 - 30 V0.05 V+/-1%0 - 5 A30 - 60 V0.05 V+/-1%0 - 2 A60 - 2500 V0.3 V+/-2%0 - 40 ma

通路电流范围参数电流范围解析度精度测试条件hFE，Vce(sat)Vbe(on)，Vbe(sat) Vds(on)，Ids，Vds

Rds(on)，Ic(on)，Vf If，Vtm

+/-Vo，+/-Ipk

+/-Isc，Vbo，Ibo0 - 20 ma5 ua+/-1%0 - 40 V0 - 200 ma50 ua+/-1%0 - 40 V0 -2 A0.5 ma+/-1%0 - 40 V0 - 25 A6 ma+/-1%0 - 30 V0-50 A12 ma+/-1%0 - 20 V触发电流范围参数电流范围解析度精度测试条件hFE、Vgs(th)

Vbe(on)、Vgs(on) Vge(th)、Vge(on) Igt、Vgt、IL

Ih、Ic(on)

Igt 1/2/3/4

Vgt 1/2/3/40 - 100 ua20 na+/-1%0 - 20 V0 - 1 ma0.2 ua+/-1%0 - 20 V0 -10 ma2 ua+/-1%0 - 20 V0 - 100 ma20 ua+/-1%0 - 20 V0 - 1 A0.2 ma+/-1%0 - 20 V0 - 20 A4 ma+/-1%0 - 20 V触发电压范围参数电压范围解析度精度Vbe(on)、Vbe(sat) Vge(on)、Vgs(on)、Vgt0 - 20 V4 mV+/-1%切换时间参数计时范围解析度精度ton, toff0 - 1095 ns

连续调整5 ns+/-1%

详情访问官网：http://www.samplesci.com/product/p-72-89.html'