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一、硅外延的定义

硅外延工艺实际上是一种薄层的单晶生长技术，它是在一定的条件下，在硅单晶的衬底片上，沿单晶的结晶方向生长一层具有一定导电类型，电阻率、厚度、晶格结构与体单晶一致的新单晶层。

二、硅外延生长工艺的优点

1、生长温度比它本身的熔点要低

2、可以获得纯度高、缺陷少的单晶薄层

3、由于掺杂工艺灵活，可以获得多种结构的单晶或多层外延便于器件参数结构的调整北京特博万德科技有限公司长期加工定制各种型号硅外延片，欢迎来电咨询相关信息。

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