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型号	CES2301	用途	其他
材料	P-FET硅P沟道	导电方式	增强型
导电沟道	P沟道	垂直导电结构	其他
功率	小功率	控制方式	脉冲调频调宽式
封装外形	贴片	开启电压	-20
最大漏极电流	-10	最大散热功率	1.25

CET华瑞 SOT-23封装MOS

BVdsRds(on) Max(mΩ)IdsPdQg(nC)VGS(th)ConfigPart No(V)Vgs@10VVgs@4.5VVgs@2.5VVgs@1.8V(A)(W)Vgs=10VVgs=4.5V(V)-20 486078-4.21.25 13-0.7SingleCES2331 5562 -3.81.25 13-0.7SingleCES2321 100150 -2.81.25 11-0.7SingleCES2301 165300 -2.21.25 6.2-0.7SingleCES2309-304880 -4.11.2513.8 -1.6SingleCES2323 5586 -3.81.2513 -1.6SingleCES2313A 5570120 -41.25 8.4-1.1SingleCES2305 6090 -3.61.2517 -1.6SingleCES2313 78120 -3.21.259.5 -1.5SingleCES2307 200320 -1.91.256 -1.5SingleCES2303

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