SVF2N65F/TND2N65F 代替料现货

SVF2N65F/MJ/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动

特点

2A，650V，RDS(on)(典型值)=4.3@VGS=10V

低栅极电荷量

低反向传输电容

开关速度快

提升了 dv/dt 能力

深圳飞捷士科技核心服务

功率器件：代理华润微电子，特诺半导体

物联网：阿里巴巴IOT核心芯片分销合作伙伴

照明IC：立锜科技，美芯晟

MCU单片机：晟汐微，国民技术

飞捷士专业的功率器件专家，如有更多问题请可以与我们联系