深圳市青佺电子有限公司
主营产品:电容器
2023年08月29日 15:56
型号 |
8119 |
额定功率 |
1978W |
电压比 |
1399 |
额定电压 |
3953V |
额定频率 |
9644Hz |
空载电流 |
1834A |
温升 |
3118℃ |
工作温度等级 |
4523 |
绝缘性能 |
1134 |
效率η |
7788% |
深圳市青佺电子有限公司通过不懈的努力与研发,成功制造出高品质,高性能的高储能快速充放电品铝电解电容器,青佺电子LHD系列的铝电解电容器,属充放电、高储能、高纹波型,充放电次数大于3000万次,或5年以上实际使用品证,采用国外电容设计理念,松下支链氨盐用纳米材料表面络合剂的电解液,总体参数与国外同类电容器等同。适用于焊接机,切割机,激光机,储能机,点焊机,智能型静电放电发生器,脉冲发生器,雷击浪涌发生器,干扰模似器,干扰发生器,电压跌落发生器!
功率场效应管(MOSFET)是应用较多的开关器件,它有较高的开关速度,但同时也有较大的寄生电容。它关断时,在外电压的作用下, 其寄生电容充满电,如果在其开通前不将这一部分电荷放掉,则将消耗于器件内部,这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗,功率场 效应管宜采用零电压开通方式(ZVS)。绝缘栅双极性晶体管(Insu1ated Gate Bipo1ar tansistor,IGBT)是一种复合开关器件,关断时的电流拖 尾会导致较大的关断损耗,如果在关断前使流过它的电流降到零,则可以显着地降低开关损耗,因此IGBT宜采用零电流(ZCS)关断方式。IGBT在 零电压条件下关断,同样也能减小关断损耗,但是MOSFET在零电流条件下开通时,并不能减小容性开通损耗。谐振转换器(ResonantConverter ,RC)、准谐振转换器(Qunsi-Tesonant Converter,QRC)、多谐振转换器(Mu1ti-ResonantConverter,MRC)、零电压开关PWM转换器(ZVS PWM Converter)、零电流开关PWM转换器(ZCS PWM Converter)、零电压转换(Zero-Vo1tage-Transition,ZVT)PWM转换器和零电流转换(Zero- Vo1tage-Transition,ZVT)PWM转换器等,均属于软开关直流转换器。电力电子开关器件和零开关转换器技术的发展,促使了高频开关电源的发展
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