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对智能控制器可为开发人员带来创建更多高灵活性照明系统的潜力。在基于微控制器的系统中，可配置代码来支持不同类型的LED、独特的功率级需求、不同的串长以及不同的串数并无需大幅调整硬件。这种系统甚至可设计为自动检测需要驱动的LED。微控制器系统的可编程属性甚至可以支持高级调光及调度功能猫头鹰DJ台批发，以及实现更高级的照明场景控制与自动照明数字控制的高灵活性可帮助制造厂商设计出能够驱动大量终端产品的统一驱动器。由于控制器IP可重复使用，因而设计投入也可大幅削减。高灵活性的驱动器不但可降低需要库存的器件存货数量，而且还可通过扩大经济规模来降低整体系统成本。

随着半导体发光二极管(LED)以及电力电子器件的发展，Ⅲ族氮化物薄膜材料的制备越来越受到研究者的重视。有关GaN材料外延生长、工艺技术以及测试手段的众多突破性进展使得LED、半导体激光器以及高迁移率晶体管(HEMT)等电子器件实现了产业化。而GaN薄膜材料作为诸多应用的基础猫头鹰DJ台厂家，人们对于其生长过程与材料特性做了大量研究工作。这些研究对衬底的处理、材料的成核以及晶核合并过程中各种生长参数进行分析综合优化猫头鹰DJ台，在得到了高质量GaN材料的同时提出了一些外延生长条件与材料质量的相互关系。然而由于外延设备与生长工艺的差别，仍需要进一步地研究用以完善或修正这些关系。本文重点关注实验中常用的反应室生长压力范围内(100～500Torr)猫头鹰DJ台价格，不同的生长压力对于非掺杂GaN薄膜材料光学性能与电学性能的影响。研究发现低压100Torr(1Torr=133.3224Pa)的外延生长条件相对于500Torr可以有效地降低Ga源与NH3之间的气相反应造成的碳杂质沾污，从而抑制造成PL中黄光峰与蓝光峰的深受主的形成，所制备的材料体现出更好的光学性能。而不同的生长压力下GaN薄膜体现出不同的电学性能，即高压下(500Torr)生长的材料通常表现为更高的载流子浓度与更高迁移率，而低压下(100Torr)生长的样品通常表现为更低的载流子浓度与更低迁移率。而理想的非掺杂GaN材料则通常要求同时具有更低的载流子浓度以及更高的载流子迁移率。

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